收藏本站
型号 IPD50N06S2L-13
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
IPD50N06S2L-13 PDF
代理商 IPD50N06S2L-13
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 12.7 毫欧 @ 34A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1800pF @ 25V
功率 - 最大 136W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000252172
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD50N06S4-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD50N06S4L-08 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPD50N06S4L-12 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
IPD50N10S3L-16 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
IPD50P03P4L-11 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
IPD50P03P4L-11 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
IPD50P03P4L-11 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
IPD50P04P4L-11 Infineon Technologies TRANS P CH 40V 50A PG-TO252-3-31
IPD50P04P4L-11 Infineon Technologies TRANS P CH 40V 50A PG-TO252-3-31
IPD50P04P4L-11 Infineon Technologies TRANS P CH 40V 50A PG-TO252-3-31
IPD50R280CE Infineon Technologies MOSF 500V 13A PG-TO252
IPD50R399CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
IPD50R500CE Infineon Technologies MOSF 500V 7.6A PG-TO252
IPD50R520CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
IPD50R950CE Infineon Technologies MOSF 500V 4.3A PG-TO252
IPD530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPD530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPD530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3